单晶炉拉晶工艺流程十分复杂,特别要表现硅在封闭式的罐体中高温溶化及半导体晶体生长全程过程,整装设备运行处在全封闭和高温的环境下用传统视频拍摄根本无法实现,只能通过三维模拟模拟技术来满足客户的需求。
单晶炉拉晶采用直拉法工艺(CZ法),又称为 “提拉法”,是半导体晶体生长的主要方法。在该过程中,硅(Si)首先被熔化,然后通过控制生长温度实现晶体材料由多晶体变成单晶体。 CZ法工艺的优势在于速度快,可控程度高。
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